金属—氧化物—半导体（metal-oxide-semiconductor）结构的晶体管简称mos晶体管，有p型mos管和n型mos管之分。由mos管构成的集成电路称为mos集成电路，而由pmos管和nmos管共同构成的互补型mos集成电路即为 cmos-ic（ complementary mos integrated circuit）。
cmos集成电路的性能特点
· 微直流功耗—cmos电路的单门静态功耗在毫微瓦（nw）数量级。
· 高噪声容限—cmos电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。
· 宽工作电压范围—cmos电路的电源电压一般为1.5~18伏。
· 高逻辑摆幅—cmos电路输出高、低电平的幅度达到全电压的
· “1”为vdd，逻辑“0”为vss。
· 高输入阻抗—cmos电路的输入阻抗大于108ω,一般可达1010ω。
· 高扇出能力—cmos电路的扇出能力大于50。
· 低输入电容—cmos电路的输入电容一般不大于5pf。
· 宽工作温度范围—陶瓷封装的cmos电路工作温度范围为 - 55 0c ~ 125 0c；塑封的cmos电路为 – 40 0c ~ 85 0c。
· 所有的输入均有删保护电路，良好的抗辐照特性等。